Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N3637UB/TR
- Microchip Technology
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 3-SMD, No Lead
- TRANS PNP 175V 1A 3SMD
- Date Sheet
Lagernummer 20
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:3-SMD, No Lead
- Поставщик упаковки устройства:3-SMD
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Распад мощности:1.5 W
- Полярность транзистора:PNP
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:55 at 100 uA, 10 V
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора:1 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:300 at - 50 mA, - 10 V
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:175 V
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/357
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:1.5 W
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 50mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):175 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):175 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 20
Итого $0.00000