2N2219AE3

Name: Microchip Technology 2N2219AE3
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.7 (7 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Date Sheet

Lagernummer 95

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Поставщик упаковки устройства：TO-39
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：800 mA
Основной номер продукта：2N2219
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：800 mW
Полярность транзистора：NPN
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50 at 100 uA, 10 V
Вес единицы：0.103367 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Максимальный постоянный ток сбора：800 mA
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：325 at 1 mA, 10 V
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 200°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：800 mW
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 95

Итого $0.00000