JANSR2N3700UB/TR

Name: Microchip Technology JANSR2N3700UB/TR
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.9 (12 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
4-SMD, No Lead
TRANS NPN 80V 1A UB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
Поставщик упаковки устройства：UB
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 A
Основной номер продукта：2N3700
Полярность транзистора：NPN
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
Распад мощности：500 mW
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：15 at 1 A, 10 V
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：50
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip / Microsemi
Максимальный постоянный ток сбора：1 A
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：300 at 500 mA, 10 V
РХОС：N
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
Описание пакета：,
Рохс Код：No
Артикул Производителя：JANSR2N3700UB/TR
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.82
Серия：Military, MIL-PRF-19500/391
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Пакетирование：Reel
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Код соответствия REACH：compliant
Конфигурация：Single
Распад мощности：500
Мощность - Макс：500 mW
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 500mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：140 V
Прямоходящий ток коллектора：1
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 0

Итого $0.00000