Изображение служит лишь для справки
JAN2N918UB/TR
- Microchip Technology
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 3-SMD, Non-Standard
- TRANS NPN 15V 0.05A
- Date Sheet
Lagernummer 40
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:3-SMD, Non-Standard
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):50 mA
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:3 V
- Распад мощности:200 mW
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:10 at 500 uA, 10 V
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора:50 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:200 at 3 mA, 1 V
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:15 V
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/301
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:200 mW
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 3mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 1mA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):15 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 40
Итого $0.00000