Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 40

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:3-SMD, Non-Standard
  • Mfr:Microchip Technology
  • Пакет:Tape & Reel (TR)
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):50 mA
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:3 V
  • Распад мощности:200 mW
  • Полярность транзистора:NPN
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:10 at 500 uA, 10 V
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip / Microsemi
  • Максимальный постоянный ток сбора:50 mA
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:200 at 3 mA, 1 V
  • РХОС:N
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:15 V
  • Серия:Military, MIL-PRF-19500/301
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:200 mW
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 3mA, 1V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):1μA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 1mA, 10mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):15 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 40

Итого $0.00000