Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISH536DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISH536DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
- Date Sheet
Lagernummer 8917
- 1+: $0.73145
- 10+: $0.69005
- 100+: $0.65099
- 500+: $0.61414
- 1000+: $0.57938
Zwischensummenbetrag $0.73145
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id:67.4
- Число элементов на чипе:1
- Формат упаковки:PowerPAK 1212-8SH
- Режим канала:Enhancement
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:-
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Время типичного задержки включения:9 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.2 V
- Распад мощности:26.5 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 12 V, + 16 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:53 S
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот:16.6 nC
- Торговое наименование:TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:3.25 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:18 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:67.4 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Число контактов:8
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:26.5
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.25mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1150 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:25 nC @ 10 V
- Время подъема:5 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):+16V, -12V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 8917
- 1+: $0.73145
- 10+: $0.69005
- 100+: $0.65099
- 500+: $0.61414
- 1000+: $0.57938
Итого $0.73145