Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 131

  • 1+: $0.23034
  • 10+: $0.21730
  • 100+: $0.20500
  • 500+: $0.19340
  • 1000+: $0.18245

Zwischensummenbetrag $0.23034

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-SMD, Flat Lead
  • Поставщик упаковки устройства:TSMT8
  • Mfr:Rohm Semiconductor
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.5A (Ta)
  • Квалификация:-
  • Полярность транзистора:N Channel
  • Прямоходящий ток вывода Id:4.5A
  • Число элементов на чипе:2
  • Формат упаковки:TSMT-8
  • Режим канала:Enhancement
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
  • Время типичного задержки включения:5 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
  • Распад мощности:1.5 W
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Id - Непрерывный ток разряда:4.5 A
  • Время задержки отключения типичного:11 ns
  • РХОС:Details
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:44 mOhms
  • Зарядная характеристика ворот:3.5 nC
  • Бренд:ROHM Semiconductor
  • Производитель:ROHM Semiconductor
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Серия:-
  • Рабочая температура:150°C (TJ)
  • Пакетирование:Cut Tape
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Число контактов:8
  • Конфигурация:Dual
  • Каналов количество:2 Channel
  • Мощность - Макс:1.1W (Ta)
  • Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:44mOhm @ 4.5A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 1mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:150pF @ 20V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:3.5nC @ 10V
  • Время подъема:4.4 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):40V
  • Тип продукта:MOSFET
  • Канальный тип:N Channel
  • Характеристика ТРП:Standard
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 131

  • 1+: $0.23034
  • 10+: $0.21730
  • 100+: $0.20500
  • 500+: $0.19340
  • 1000+: $0.18245

Итого $0.23034