UF3C120080B7S

Name: UnitedSiC UF3C120080B7S
Brand: UnitedSiC
Rating: 4.6 (14 reviews)

UnitedSiC
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Date Sheet

Lagernummer 1769

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Поставщик упаковки устройства：D2PAK-7
Mfr：UnitedSiC
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28.8A (Tc)
Максимальная мощность рассеяния：190W (Tc)
Основной номер продукта：UF3C120080
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
Чувствительный к влажности：Yes
Время типичного задержки включения：31 ns, 33 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：6 V
Распад мощности：190 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 25 V, + 25 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：800
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：UnitedSiC
Бренд：UnitedSiC
Зарядная характеристика ворот：23 nC
Торговое наименование：SiC FET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：85 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：30 ns
Id - Непрерывный ток разряда：28.8 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：105mOhm @ 20A, 12V
Втс(th) (Макс) @ Id：6V @ 10mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：754 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23 nC @ 12 V
Время подъема：7 ns, 6 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
Угол настройки (макс.)：±25V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 1769

Итого $0.00000