SIR500DP-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SIR500DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (5 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 4972

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：350.8
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAK SO-8
Режим канала：Enhancement
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
Распад мощности：104.1 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 12 V, + 16 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Зарядная характеристика ворот：120 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：470 uOhms
Id - Непрерывный ток разряда：350.8 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Число контактов：8
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：104.1
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：0.47mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8960 pF @ 15 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：+16V, -12V
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-

Со склада 4972

Итого $0.00000