(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP60N04VLK-E1-AY
Изображение служит лишь для справки
NP60N04VLK-E1-AY
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Date Sheet
Lagernummer 2532
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252 (MP-3ZP)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.2W (Ta), 105W (Tc)
- Пакетная партия производителя：2500
- Производитель：Renesas Electronics
- Бренд：Renesas Electronics
- РХОС：Details
- Описание пакета：,
- Код упаковки производителя：PRSS0004ZP-A3
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：NP60N04VLK-E1-AY
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.72
- Код упаковки компонента：MP-3ZP
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：175°C
- Пакетирование：MouseReel
- Безоловая кодировка：Yes
- Подкатегория：MOSFETs
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Название бренда：Renesas
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.9mOhm @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3680 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：63 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Ширина：6.1 mm
- Высота：2.65 mm
- Длина：6.5 mm
Со склада 2532
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
