(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IGOT60R070D1AUMA3
Изображение служит лишь для справки
IGOT60R070D1AUMA3
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
- GANFET N-CH
Date Sheet
Lagernummer 863
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：PG-DSO-20-87
- Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：-
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：31A (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Mfr：Infineon Technologies
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：31A
- Чувствительный к влажности：Yes
- Пакетная партия производителя：800
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Id - Непрерывный ток разряда：31 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：70 mOhms
- Зарядная характеристика ворот：5.8 nC
- Режим канала：Enhancement
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Усв：- 10 V, + 10 V
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Полярность транзистора：N-Channel
- Распад мощности：125 W
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：900 mV
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：-
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.6V @ 2.6mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：380 pF @ 400 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：-10V
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：Infineon
Со склада 863
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
