SQS140ENW-T1_GE3

Name: Vishay Siliconix SQS140ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (5 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Date Sheet

Lagernummer 7473

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：214A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：197W (Tc)
Формат упаковки：PowerPAK 1212-8SLW
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：AEC-Q101
Прямоходящий ток вывода Id：214A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
Распад мощности：197 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：38 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.53 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：214 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：197W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.53mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3111 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：57 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Продукт：MOSFET
Категория продукта：MOSFET

Со склада 7473

Итого $0.00000