(0)
Изображение служит лишь для справки
NSV30100LT1G
-
onsemi
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- NSV30100 - LOW VCE(SAT) TRANSIST
Date Sheet
Lagernummer 3622
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：onsemi
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Статус жизненного цикла производителя：ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：318-08
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Траниционный частотный предел (fT)：100 MHz
- Артикул Производителя：NSV30100LT1G
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：5.75
- Серия：*
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Название бренда：ON Semiconductor
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Код JEDEC-95：TO-236
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.71 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：30 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.65 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：15 pF
Со склада 3622
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
