Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 5052

  • 1+: $0.23508
  • 10+: $0.22177
  • 100+: $0.20922
  • 500+: $0.19738
  • 1000+: $0.18620

Zwischensummenbetrag $0.23508

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Поставщик упаковки устройства:S-Mini
  • Mfr:Toshiba Semiconductor and Storage
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):150 mA
  • Квалификация:AEC-Q200
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Распад мощности:150 mW
  • Полярность транзистора:NPN
  • Максимальная рабочая температура:+ 125 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:70
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:80 MHz
  • Партийные обозначения:2SC2712-BL,LXHF(B
  • Производитель:Toshiba
  • Бренд:Toshiba
  • Максимальный постоянный ток сбора:150 mA
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:700
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-
  • Пакетирование:MouseReel
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:200 mW
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:350 @ 2mA, 6V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):100nA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
  • Частота - Переход:80MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Прямоходящий ток коллектора:150 mA
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
  • Ширина:1.5 mm
  • Высота:1.1 mm
  • Длина:2.9 mm

Со склада 5052

  • 1+: $0.23508
  • 10+: $0.22177
  • 100+: $0.20922
  • 500+: $0.19738
  • 1000+: $0.18620

Итого $0.23508