Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMP3021SFVWQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMP3021SFVWQ-13
- Diodes Incorporated
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
- Date Sheet
Lagernummer 845
- 1+: $0.86154
- 10+: $0.81277
- 100+: $0.76676
- 500+: $0.72336
- 1000+: $0.68242
Zwischensummenbetrag $0.86154
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства:PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Mfr:Diodes Incorporated
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:11A (Ta), 42A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:1W (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:1 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 25 V, + 25 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:Diodes Incorporated
- Бренд:Diodes Incorporated
- Зарядная характеристика ворот:34 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:15 mOhms
- РХОС:Details
- Id - Непрерывный ток разряда:42 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:15mOhm @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1799 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:34 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:-
- Продукт:MOSFET
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 845
- 1+: $0.86154
- 10+: $0.81277
- 100+: $0.76676
- 500+: $0.72336
- 1000+: $0.68242
Итого $0.86154