(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPTG025N10NM5ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPTG025N10NM5ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Date Sheet
Lagernummer 14
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-HSOG-8-1
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：27A (Ta), 206A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W (Ta), 214W (Tc)
- Основной номер продукта：IPTG025N
- Пакетная партия производителя：1800
- Партийные обозначения：IPTG025N10NM5 SP005575193
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- РХОС：Details
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.5mOhm @ 150A 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.8V @ 158μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8800 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：120 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 14
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
