(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IPG20N04S418AATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPG20N04S418AATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 30
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8-10
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Tc)
- Основной номер продукта：IPG20N
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：26 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：5000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IPG20N04S4-18A SP003127446
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：8.7 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：18 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：20 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：26W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：18.4mOhm @ 17A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 8μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 30
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
