Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC120N12LSGATMA1
Изображение служит лишь для справки
BSC120N12LSGATMA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Date Sheet
Lagernummer 2441
- 1+: $1.86816
- 10+: $1.76241
- 100+: $1.66265
- 500+: $1.56854
- 1000+: $1.47975
Zwischensummenbetrag $1.86816
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:PG-TDSON-8
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10A (Ta), 68A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:114W (Tc)
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:68A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:120 V
- Время типичного задержки включения:8 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.85 V
- Распад мощности:114 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.003683 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:5000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:42 S
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:BSC120N12LS G SP004486460
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот:51 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:12 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:68 A
- Время задержки отключения типичного:22 ns
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:114W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:12mOhm @ 34A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.4V @ 72μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4900 pF @ 60 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:51 nC @ 10 V
- Время подъема:5 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):120 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 2441
- 1+: $1.86816
- 10+: $1.76241
- 100+: $1.66265
- 500+: $1.56854
- 1000+: $1.47975
Итого $1.86816