Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQA410CEJW-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQA410CEJW-T1_GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
- Date Sheet
Lagernummer 6689
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7.8A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния:13.6W (Tc)
- Число элементов на чипе:1
- Формат упаковки:PowerPAK SC-70W-6L
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:AEC-Q101
- Прямоходящий ток вывода Id:7.8A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:600 mV
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 8 V, + 8 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:5.1 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:45.4 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:7.8 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Число контактов:7
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:13.6W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:28mOhm @ 5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:525 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:8 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20 V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
Со склада 6689
Итого $0.00000