(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM120DUM027AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM120DUM027AG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SP6C
Date Sheet
Lagernummer 835
- 1+： $759.93508
- 10+： $716.91989
- 100+： $676.33952
- 500+： $638.05615
- 1000+： $601.93976
Zwischensummenbetrag $759.93508
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：-
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：733A (Tc)
- Основной номер продукта：MSCSM120
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology / Atmel
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Мощность - Макс：2968W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Source
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.5mOhm @ 360A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 9mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：27000pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2088nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 835
- 1+： $759.93508
- 10+： $716.91989
- 100+： $676.33952
- 500+： $638.05615
- 1000+： $601.93976
Итого $759.93508
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
