Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 6112

  • 1+: $0.93469
  • 10+: $0.88178
  • 100+: $0.83187
  • 500+: $0.78478
  • 1000+: $0.74036

Zwischensummenbetrag $0.93469

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-243AA
  • Поставщик упаковки устройства:SOT-89
  • Mfr:Rohm Semiconductor
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
  • Квалификация:AEC-Q101
  • Полярность транзистора:NPN
  • Число элементов на чипе:1
  • Формат упаковки:SOT-89
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:30 V
  • Максимальный постоянный ток сбора:2 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока:270
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
  • Распад мощности:2 W
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:270
  • Пакетная партия производителя:1000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Производитель:ROHM Semiconductor
  • Бренд:ROHM Semiconductor
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:680
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:30 V
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакетирование:MouseReel
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Распад мощности:2W
  • Мощность - Макс:2 W
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:270 @ 100mA, 2V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):100nA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:350mV @ 25mA, 500mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):30 V
  • Частота перехода:320MHz
  • Частота - Переход:320MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30 V
  • Прямоходящий ток коллектора:1A
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 6112

  • 1+: $0.93469
  • 10+: $0.88178
  • 100+: $0.83187
  • 500+: $0.78478
  • 1000+: $0.74036

Итого $0.93469