Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 25000

  • 1+: $5.19597
  • 10+: $4.90186
  • 100+: $4.62440
  • 500+: $4.36264
  • 1000+: $4.11570

Zwischensummenbetrag $5.19597

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-PowerSFN
  • Поставщик упаковки устройства:POWERDI1012-8
  • Mfr:Diodes Incorporated
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:270A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Максимальная мощность рассеяния:6W (Ta), 250W (Tc)
  • Прямоходящий ток вывода Id:270
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:80 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
  • Распад мощности:6 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:1500
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Режим канала:Enhancement
  • Производитель:Diodes Incorporated
  • Бренд:Diodes Incorporated
  • Зарядная характеристика ворот:138 nC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.7 mOhms
  • Id - Непрерывный ток разряда:270 A
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Пакетирование:Cut Tape
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Каналов количество:1 Channel
  • Распад мощности:250
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.7mOhm @ 30A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:8894 pF @ 50 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:138 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):80 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Тип продукта:MOSFET
  • Канальный тип:N
  • Характеристика ТРП:-
  • Продукт:MOSFET
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 25000

  • 1+: $5.19597
  • 10+: $4.90186
  • 100+: $4.62440
  • 500+: $4.36264
  • 1000+: $4.11570

Итого $5.19597