(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMTH8001STLWQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMTH8001STLWQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Date Sheet
Lagernummer 3352
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства：POWERDI1012-8
- Mfr：Diodes Incorporated
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：270A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：6W (Ta), 250W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id：270
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：6 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Diodes Incorporated
- Бренд：Diodes Incorporated
- Зарядная характеристика ворот：138 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.7 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：270 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：250
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.7mOhm @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8894 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：138 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Продукт：MOSFET
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3352
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
