Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM170DUM23T3AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM170DUM23T3AG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SP3F
- Date Sheet
Lagernummer 2271
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:SP3F
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:124A (Tc)
- Основной номер продукта:MSCSM170
- Пакетная партия производителя:1
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology
- Серия:-
- Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Мощность - Макс:602W (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual) Common Source
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:22.5mOhm @ 60A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.2V @ 5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6600pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:356nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1700V (1.7kV)
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2271
Итого $0.00000