DMN10H220LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMN10H220LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.9 (9 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerTDFN
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Date Sheet

Lagernummer 33

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：PowerDI5060-8 (Type R)
Mfr：Diodes Incorporated
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Полярность транзистора：N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：8A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：6.2 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：2.2 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.003422 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Diodes Incorporated
Бренд：Diodes Incorporated
Зарядная характеристика ворот：6.7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：222 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：7.4 ns
Id - Непрерывный ток разряда：8 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Dual
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：2.2W (Ta)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：222mOhm @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：384pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.7nC @ 10V
Время подъема：8.7 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：2 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 33

Итого $0.00000