Изображение служит лишь для справки
DXTP03140BFG-7
- Diodes Incorporated
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
- Date Sheet
Lagernummer 1984
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства:PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Mfr:Diodes Incorporated
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):4 A
- Полярность транзистора:PNP
- Пакетная партия производителя:2000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:120 MHz
- Производитель:Diodes Incorporated
- Бренд:Diodes Incorporated
- Максимальный постоянный ток сбора:10 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:300 at - 1 A, - 5 V
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:140 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Вес единицы:0.001058 oz
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:100 at - 1 A, - 5 V
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Распад мощности:1.07 W
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:1.5
- Мощность - Макс:1.07 W
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 1A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):20nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:360mV @ 300mA, 3A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):140 V
- Частота перехода:360
- Частота - Переход:120MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):180 V
- Прямоходящий ток коллектора:100
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 1984
Итого $0.00000