MQ2N4860

Name: Microchip Technology MQ2N4860
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.6 (7 reviews)

Lagernummer 33

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-18 (TO-206AA)
Состояние продукта：Active
Пакет：Bulk
Mfr：Microchip Technology
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Распад мощности：360 mW
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Источник-истоковая токовая струя при Vgs=0：10 mA
Монтажные варианты：Through Hole
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：40 Ohms
Максимальное напряжение контроля канала：30 V
Тепловая напряжённость разрыва управляющего источника：30 V
Ток-истоковая разрывная напряжение：6 VDC
РХОС：Compliant
Серия：Military, MIL-PRF-19500/385
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Тип：JFET
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Конфигурация：Single
Конфигурация элемента：Single
Мощность - Макс：360 mW
Тип ТРВ：N-Channel
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：18pF @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Тип продукта：JFETs
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：-30 V
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)：20 mA @ 15 V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id：2 V @ 500 pA
Теперь：30 V
Сопротивление - RDS(на)：40 Ohms
Категория продукта：JFET
Корпусировка на излучение：No

Со склада 33

Итого $0.00000