Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMTH6015LPDWQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMTH6015LPDWQ-13
- Diodes Incorporated
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
- Date Sheet
Lagernummer 909
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Mfr:Diodes Incorporated
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:9.4A (Ta), 36.3A (Tc)
- Квалификация:AEC-Q101
- Полярность транзистора:N Channel
- Прямоходящий ток вывода Id:36.3A
- Пакетная партия производителя:2500
- Производитель:Diodes Incorporated
- Бренд:Diodes Incorporated
- РХОС:Details
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Reel
- Подкатегория:MOSFETs
- Мощность - Макс:2.6W (Ta), 39.5W (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:20mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:825pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:14.3nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Тип продукта:MOSFET
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 909
Итого $0.00000