(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CMSP2011A6-HF
Изображение служит лишь для справки
CMSP2011A6-HF
-
Comchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-WDFN Exposed Pad
- MOSFET P-CH 20VDS 12VGS 11A DFNW
Date Sheet
Lagernummer 44
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：DFNWB2x2-6L-J
- Mfr：Comchip Technology
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：750mW (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
- Время типичного задержки включения：11 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
- Распад мощности：750 mW
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 12 V, + 12 V
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Comchip Technology
- Бренд：Comchip Technology
- Зарядная характеристика ворот：35 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：24 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：30 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：11 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：24mOhm @ 7.2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1580 pF @ 6 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35 nC @ 4.5 V
- Время подъема：35 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 44
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
