(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RJ1L12CGNTLL
Изображение служит лишь для справки
RJ1L12CGNTLL
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
Date Sheet
Lagernummer 2203
- 1+： $5.61183
- 10+： $5.29418
- 100+： $4.99451
- 500+： $4.71180
- 1000+： $4.44510
Zwischensummenbetrag $5.61183
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：TO-263AB
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：166W (Ta)
- Непрерывный ток стока：120(A)
- Дrain-Source On-Volt：60(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：LPTL
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Surface Mount
- Число элементов на чипе：1
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Время типичного задержки включения：33 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：166 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：139 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.4 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：180 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：120 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tape and Reel
- Тип：Power MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：2 +Tab
- Направленность：N
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：166(W)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.4mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 200μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7100 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：139 nC @ 10 V
- Время подъема：48 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Ширина：9.2mm
- Высота：4.7mm
- Длина：10.4mm
Со склада 2203
- 1+： $5.61183
- 10+： $5.29418
- 100+： $4.99451
- 500+： $4.71180
- 1000+： $4.44510
Итого $5.61183
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
