SIDR510EP-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SIDR510EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (9 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Date Sheet

Lagernummer 6407

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A (Ta), 148A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：7.5W (Ta), 150W (Tc)
Формат упаковки：PowerPak SO-8DC
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：148A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：24 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：150 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：57 S
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：40 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.6 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：25 ns
Id - Непрерывный ток разряда：148 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：150W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.6mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4980 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：81 nC @ 10 V
Время подъема：14 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 6407

Итого $0.00000