(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UT6J3TCR1
Изображение служит лишь для справки
UT6J3TCR1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerUDFN
- -20V PCH+PCH POWER MOSFET: THE U
Date Sheet
Lagernummer 3318
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerUDFN
- Поставщик упаковки устройства：DFN2020-8D
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A (Ta)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Полярность транзистора：P Channel
- Прямоходящий ток вывода Id：3A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
- Время типичного задержки включения：10 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
- Распад мощности：2 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 8 V, 0 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：8.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：85 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：120 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：2 A
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Dual
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：2W (Ta)
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：85mOhm @ 3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2000pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.5nC @ 4.5V
- Время подъема：30 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：P Channel
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3318
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
