Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N7002HWX
Изображение служит лишь для справки
2N7002HWX
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 2N7002HW/SOT323/SC-70
- Date Sheet
Lagernummer 321
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-236AB
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:300mA (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:830mW (Tc)
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:AEC-Q101
- Прямоходящий ток вывода Id:310mA
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.4 V
- Распад мощности:310 mW
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:300 pC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.6 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда:310 mA
- Серия:-
- Рабочая температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:260mW
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5Ohm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:50 pF @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:-
Со склада 321
Итого $0.00000