SIHB24N65EFT1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIHB24N65EFT1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Price: 4.8440502 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (12 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
N-CHANNEL 650V
Date Sheet

Lagernummer 2297

1+： $4.84405
10+： $4.56986
100+： $4.31119
500+： $4.06716
1000+： $3.83694

Zwischensummenbetrag $4.84405

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поставщик упаковки устройства：TO-263 (D2Pak)
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：250W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：250 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：800
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：81 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：156 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：24 A
Серия：E
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：156mOhm @ 12A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2774 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：122 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2297

1+： $4.84405
10+： $4.56986
100+： $4.31119
500+： $4.06716
1000+： $3.83694

Итого $4.84405