SQJ479EP-T1_BE3

Name: Vishay Siliconix SQJ479EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
Price: 1.2835287 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (15 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 3589

1+： $1.28353
10+： $1.21088
100+： $1.14234
500+： $1.07768
1000+： $1.01667

Zwischensummenbetrag $1.28353

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：32A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：68W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
Время типичного задержки включения：15 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：68 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.006596 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SQJ479EP-T1_GE3
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：90 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：33 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：50 ns
Id - Непрерывный ток разряда：32 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：33mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4500 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：150 nC @ 10 V
Время подъема：5 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 3589

1+： $1.28353
10+： $1.21088
100+： $1.14234
500+： $1.07768
1000+： $1.01667

Итого $1.28353