(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIDR220DP-T1-RE3
Изображение служит лишь для справки
SIDR220DP-T1-RE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 4819
- 1+： $2.51630
- 10+： $2.37386
- 100+： $2.23949
- 500+： $2.11273
- 1000+： $1.99314
Zwischensummenbetrag $2.51630
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：87.7A (Ta), 100A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：PowerPAK SO-8DC
- Режим канала：Enhancement
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：100A
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Торговое наименование：TrenchFET
- РХОС：Details
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：8
- Распад мощности：125W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.8mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10850 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：200 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：25 V
- Угол настройки (макс.)：+16V, -12V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 4819
- 1+： $2.51630
- 10+： $2.37386
- 100+： $2.23949
- 500+： $2.11273
- 1000+： $1.99314
Итого $2.51630
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
