SQJ488EP-T2_GE3

Name: Vishay Siliconix SQJ488EP-T2_GE3
Brand: Vishay Siliconix
Price: 1.3560444 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (12 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Date Sheet

Lagernummer 11501

1+： $1.35604
10+： $1.27929
100+： $1.20687
500+： $1.13856
1000+： $1.07411

Zwischensummenbetrag $1.35604

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Максимальная мощность рассеяния：83W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：42A (Tc)
Состояние продукта：Active
Mfr：Vishay Siliconix
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：4 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：83 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SQJ488EP-T2_BE3
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：18 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：21 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：20 ns
Id - Непрерывный ток разряда：42 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21mOhm @ 7.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：978 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27 nC @ 10 V
Время подъема：11 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 11501

1+： $1.35604
10+： $1.27929
100+： $1.20687
500+： $1.13856
1000+： $1.07411

Итого $1.35604