(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB120N60E-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB120N60E-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- N-CHANNEL 600V
Date Sheet
Lagernummer 631
- 1+： $4.37270
- 10+： $4.12519
- 100+： $3.89169
- 500+： $3.67140
- 1000+： $3.46359
Zwischensummenbetrag $4.37270
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263)
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：179W (Tc)
- Число элементов на чипе：2
- Формат упаковки：D2PAK (TO-263)
- Режим канала：Enhancement
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：25A
- Пакетная партия производителя：800
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- РХОС：Details
- Серия：E
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：3
- Распад мощности：179W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120mOhm @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1562 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 631
- 1+： $4.37270
- 10+： $4.12519
- 100+： $3.89169
- 500+： $3.67140
- 1000+： $3.46359
Итого $4.37270
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
