(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI6913DQ-T1-BE3
Изображение служит лишь для справки
SI6913DQ-T1-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 10825
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-TSSOP
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.9A (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：12 V
- Время типичного задержки включения：45 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：900 mV
- Распад мощности：1.14 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 8 V, + 8 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：25 S
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay Semiconductors
- Зарядная характеристика ворот：28 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：21 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：130 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：5.8 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Bulk
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：830mW (Ta)
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21mOhm @ 5.8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：900mV @ 400μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：-
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：28nC @ 4.5V
- Время подъема：80 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：2 P-Channel
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 10825
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
