Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJA12EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJA12EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
- Date Sheet
Lagernummer 2435
- 1+: $0.69578
- 10+: $0.65639
- 100+: $0.61924
- 500+: $0.58419
- 1000+: $0.55112
Zwischensummenbetrag $0.69578
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:-
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:-
- Пакетная партия производителя:3000
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- РХОС:Details
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 125°C
- Пакетирование:Reel
- Подкатегория:MOSFETs
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8.6mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3635 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:49.1 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
- Угол настройки (макс.):-
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 2435
- 1+: $0.69578
- 10+: $0.65639
- 100+: $0.61924
- 500+: $0.58419
- 1000+: $0.55112
Итого $0.69578