SIHP35N60E-BE3

Name: Vishay Siliconix SIHP35N60E-BE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (11 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
N-CHANNEL 600V
Date Sheet

Lagernummer 182

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
Mfr：Vishay Siliconix
Пакет：Cut Tape (CT)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：32A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：250W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Время типичного задержки включения：29 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：250 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.068784 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1000
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SIHP35N60E-GE3
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：132 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：82 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：78 ns
Id - Непрерывный ток разряда：32 A
Серия：E
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：94mOhm @ 17A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2760 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：132 nC @ 10 V
Время подъема：61 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 182

Итого $0.00000