(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIDR610DP-T1-RE3
Изображение служит лишь для справки
SIDR610DP-T1-RE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 15
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：6.25W (Ta), 125W (Tc)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：39.6A
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Торговое наименование：TrenchFET
- РХОС：Details
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Распад мощности：125W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：31.9mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1380 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 15
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
