(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN15M5UCA6-7
Изображение служит лишь для справки
DMN15M5UCA6-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-XFBGA, WLCSP
- MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN2117-
Date Sheet
Lagernummer 15
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-XFBGA, WLCSP
- Поставщик упаковки устройства：X4-DSN2117-6
- Mfr：Diodes Incorporated
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16.5A (Ta)
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Diodes Incorporated
- Бренд：Diodes Incorporated
- РХОС：Details
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Мощность - Макс：1.2W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.1mOhm @ 4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.3V @ 840μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：59pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：36.6nC @ 4V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 15
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
