(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN66D0LDWQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMN66D0LDWQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Date Sheet
Lagernummer 39
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поставщик упаковки устройства：SOT-363
- Mfr：Diodes Incorporated
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：217mA (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：400 mW
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：10000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Diodes Incorporated
- Бренд：Diodes Incorporated
- Зарядная характеристика ворот：900 pC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5 Ohms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：217 mA
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：400mW (Ta)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6Ohm @ 115mA, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：29.3pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.9nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：Standard
- Продукт：MOSFET
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 39
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
