(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM170AM039CD3AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM170AM039CD3AG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
Date Sheet
Lagernummer 647
- 1+： $1032.11803
- 10+： $973.69626
- 100+： $918.58138
- 500+： $866.58620
- 1000+： $817.53415
Zwischensummenbetrag $1032.11803
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：-
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：523A (Tc)
- Основной номер продукта：MSCSM170
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Мощность - Макс：2.4kW (Tc)
- Тип ТРВ：2 N Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5mOhm @ 270A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.3V @ 22.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：29700pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1602nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1700V (1.7kV)
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
Со склада 647
- 1+： $1032.11803
- 10+： $973.69626
- 100+： $918.58138
- 500+： $866.58620
- 1000+： $817.53415
Итого $1032.11803
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
