(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM170AM23CT1AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM170AM23CT1AG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
Date Sheet
Lagernummer 2909
- 1+： $189.25609
- 10+： $178.54348
- 100+： $168.43725
- 500+： $158.90306
- 1000+： $149.90855
Zwischensummenbetrag $189.25609
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：-
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：124A (Tc)
- Основной номер продукта：MSCSM170
- Прямоходящий ток вывода Id：124
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- РХОС：Details
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：Si
- Распад мощности：602
- Мощность - Макс：602W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22.5mOhm @ 60A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.2V @ 5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6600pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：356nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1700V (1.7kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2909
- 1+： $189.25609
- 10+： $178.54348
- 100+： $168.43725
- 500+： $158.90306
- 1000+： $149.90855
Итого $189.25609
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
