Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UF4C120070K4S
Изображение служит лишь для справки
UF4C120070K4S
- UnitedSiC
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-4
- 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
- Date Sheet
Lagernummer 489
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-4
- Поставщик упаковки устройства:TO-247-4
- Mfr:UnitedSiC
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:27.5A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния:217W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.2 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:6 V
- Распад мощности:217 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:30
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Depletion
- Производитель:UnitedSiC
- Бренд:UnitedSiC
- Зарядная характеристика ворот:37.8 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:91 mOhms
- РХОС:Details
- Id - Непрерывный ток разряда:27.5 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:91mOhm @ 20A, 12V
- Втс(th) (Макс) @ Id:6V @ 10mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1370 pF @ 800 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:37.8 nC @ 15 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 489
Итого $0.00000