Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 633

  • 1+: $5.09496
  • 10+: $4.80656
  • 100+: $4.53449
  • 500+: $4.27782
  • 1000+: $4.03568

Zwischensummenbetrag $5.09496

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-220-3
  • Поставщик упаковки устройства:TO-220
  • Mfr:STMicroelectronics
  • Пакет:Tube
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:56A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Максимальная мощность рассеяния:245W (Tc)
  • Основной номер продукта:STP60N
  • Формат упаковки:TO-220
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4.5 V
  • Распад мощности:245 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 30 V, + 30 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:1000
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Режим канала:Enhancement
  • Производитель:STMicroelectronics
  • Бренд:STMicroelectronics
  • Зарядная характеристика ворот:78.6 nC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:43 mOhms
  • РХОС:Details
  • Id - Непрерывный ток разряда:56 A
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакетирование:Tube
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Число контактов:3
  • Каналов количество:1 Channel
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:43mOhm @ 28A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:4.5V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4675 pF @ 400 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:78.6 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
  • Угол настройки (макс.):±30V
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:1 N-Channel
  • Канальный тип:N
  • Характеристика ТРП:-
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 633

  • 1+: $5.09496
  • 10+: $4.80656
  • 100+: $4.53449
  • 500+: $4.27782
  • 1000+: $4.03568

Итого $5.09496