DMT12H060LFDF-13

Name: Diodes Incorporated DMT12H060LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (16 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
6-UDFN Exposed Pad
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Date Sheet

Lagernummer 47

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
Поставщик упаковки устройства：U-DFN2020-6 (Type F)
Mfr：Diodes Incorporated
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V, 4.5V
Максимальная мощность рассеяния：1.1W (Ta)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：115 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.4 V
Распад мощности：2 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 8 V, + 8 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：10000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Diodes Incorporated
Бренд：Diodes Incorporated
Зарядная характеристика ворот：7.8 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：65 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：4.4 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Reel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 3A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：475 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.8 nC @ 4.5 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：115 V
Угол настройки (макс.)：±8V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Продукт：MOSFET
Категория продукта：MOSFET

Со склада 47

Итого $0.00000