(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UPA2756GR-E1-A
Изображение служит лишь для справки
UPA2756GR-E1-A
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
- UPA2756 - POWER FIELD-EFFECT TRA
Date Sheet
Lagernummer 14250
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：8-PowerSOP
- Mfr：Renesas
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Obsolete
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A (Ta)
- Описание пакета：,
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：UPA2756GR-E1-A
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.82
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Код соответствия REACH：unknown
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：2W (Ta)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：105mOhm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：260pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：4 A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 14250
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
