Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP016N06NF2SAKMA1
Изображение служит лишь для справки
IPP016N06NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
- Date Sheet
Lagernummer 1306
- 1+: $2.31092
- 10+: $2.18011
- 100+: $2.05671
- 500+: $1.94029
- 1000+: $1.83046
Zwischensummenbetrag $2.31092
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства:PG-TO220-3-U05
- Mfr:Infineon Technologies
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:36A (Ta), 194A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.8W (Ta), 250W (Tc)
- Пакетная партия производителя:1000
- Партийные обозначения:IPP016N06NF2S SP005742470
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- РХОС:Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.1 V
- Распад мощности:250 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:155 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.6 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:194 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.3V @ 186μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:10500 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:233 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 1306
- 1+: $2.31092
- 10+: $2.18011
- 100+: $2.05671
- 500+: $1.94029
- 1000+: $1.83046
Итого $2.31092