(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM120DUM31TBL1NG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM120DUM31TBL1NG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-BL1
Date Sheet
Lagernummer 2367
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：-
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：79A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1200 V
- Время типичного задержки включения：30 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
- Распад мощности：310 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 10 V, 23 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Screw Mounts
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：31 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：50 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：79 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип：MOSFET Power Module
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：SiC
- Конфигурация：Dual Common Source
- Мощность - Макс：310W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Source
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：31mOhm @ 40A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 3mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3020pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：232nC @ 20V
- Время подъема：30 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2367
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
